Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
G2R120MT33J
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH TO263-7
1851 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 3300 V 35A Surface Mount TO-263-7
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (339 Arvostelut)
G2R120MT33J
Tuotteen yleiskatsaus
12945382
Osan numero
G2R120MT33J-DGValmistaja
GeneSiC Semiconductor
G2R120MT33J
Kuvaus
SIC MOSFET N-CH TO263-7Varasto
1851 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 3300 V 35A Surface Mount TO-263-7
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
G2R120MT33J Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Tube
Sarja
G2R™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
3300 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
20V
Rds päällä (max) @ id, vgs
156mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3706 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
-
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263-7
Pakkaus / Kotelo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Perustuotenumero
G2R120
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa G2R120MT33J Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
SiC MOSFETs Selector Guide
HTML-tietolomake
G2R120MT33J-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
1242-G2R120MT33J
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
G2R120MT33J CAD Models
GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J PCB symbols & footprints
productDetail
