Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (94 Arvostelut)
IPP041N12N3GXKSA1
Tuotteen yleiskatsaus
12803539
Osan numero
IPP041N12N3GXKSA1-DGValmistaja
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Kuvaus
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Varasto
200457 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
IPP041N12N3GXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Tube
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
120 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP041
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa IPP041N12N3GXKSA1 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML-tietolomake
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Infineon OptiMOS™ N-kanavaisen MOSFETin (IPP041N12N3GXKSA1) pääominaisuudet?
Tämä MOSFET tukee 120V drain-kantasuota ja jatkuvaa 120A drain-virtaa 25 °C:ssa, ja sen Rds On on alhainen, vain 4,1 mΩ, mikä tekee siitä sopivan korkeavirtasovelluksiin. Se on suunniteltu TO-220-3-kotelossa, mikä helpottaa kiinnitystä ja takaa luotettavan suorituskyvyn.
Mihin käyttötarkoituksiin tämä 120V, 120A MOSFET soveltuu?
Tämä MOSFET on ihanteellinen tehonmuuntajille, moottorikäyttöihin ja korkeavirtaisina kytkentäpiireihin, joissa tehokas energianhallinta ja hyvä lämpötekninen suorituskyky ovat kriittisiä. Sen vankka rakenne takaa kestävyyden vaativissa elektronisissa järjestelmissä.
Onko tämä N-kanavainen MOSFET yhteensopiva nykyisten elektroniikkasuunnitelmien kanssa?
Kyllä, IPP041N12N3GXKSA1 on yhteensopiva standardien gate-käyttöjännitteen kanssa ja sen gate-kynnysarvo on 4 V, mikä tekee siitä sopivan erilaisiin kytkinvirtalähdesuunnitteluihin ja sulautettuihin järjestelmiin.
Mitkä ovat Infineonin OptiMOS™-sarjan MOSFETien edut?
OptiMOS™ MOSFETit tunnetaan alhaisesta Rds On:sta, korkeasta tehokkuudestaan ja erinomaisesta lämmönhallinnastaan, mikä auttaa vähentämään tehotulosta ja parantamaan koko järjestelmän luotettavuutta.
Mikä liike- ja takuu- tuki on saatavilla tämän MOSFET-tuotteen osalta?
Koska tuote on aktiivinen ja RoHS3-yhteensopiva, siihen sisältyy valmistajan tuki ja laatuvarmistus. Se toimitetaan suoraan varastosta, mikä takaa nopean saatavuuden projekteihisi.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
