Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
IPT010N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
89922 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (118 Arvostelut)
IPT010N08NM5ATMA1
Tuotteen yleiskatsaus
12958110
Osan numero
IPT010N08NM5ATMA1-DGValmistaja
Infineon Technologies
IPT010N08NM5ATMA1
Kuvaus
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Varasto
89922 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
IPT010N08NM5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HSOF-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerSFN
Perustuotenumero
IPT010N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa IPT010N08NM5ATMA1 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
IPT010N08NM5
HTML-tietolomake
IPT010N08NM5ATMA1-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
他們的包裝用了很多可再生材料，且完全沒有塑膠味，環保又健康，配送速度也很快，滿意！
Dec 02, 2025
Jeder Kauf bei DiGi Electronics bestätigt mich in meiner Entscheidung. Sehr vertrauenswürdig.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics' efficient logistics support complements their inventory system perfectly.
Dec 02, 2025
The combination of competitive prices and sturdy packaging is what keeps me coming back.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics provides premium value at a fraction of the cost of competitors.
Dec 02, 2025
Customer support was quick to respond and very helpful after my purchase.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Infineon OptiMOS™ N-kanavaisen MOSFETin (IPT010N08NM5ATMA1) keskeiset ominaisuudet?
Tämä MOSFETissa on 80V drain-to-source-jännite, alhainen Rds On 1,05 mΩ 150A:n kuormituksessa ja se kestää suuret virrat, jopa 43A (Ta) ja 425A (Tc). Se on suunniteltu tehokkaaseen virran ohjaukseen pintaliitos-PG-HSOF-8-pakkauksessa ja toimii laajalla lämpötila-alueella -55°C:sta 175°C:iin.
Sopiiko tämä Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFET korkeavirtaisiin kytkentäsovelluksiin?
Kyllä, tämä MOSFET on ihanteellinen korkeavirtaisiin kytkentäsovelluksiin, sillä jatkuva drain-virta on jopa 43A 25°C:ssa ja pulssivirta 425A (Tc). Se soveltuu vaativiin virtailmoitus- ja moottorinohjaussovelluksiin.
Miten tämä MOSFET toimii erilaisten gate-kytkentävaihtojen kanssa?
MOSFET tukee ohjausjännitteitä 6V ja 10V alhaisen Rds On -toiminnan saavuttamiseksi, tarjoten joustavuutta gate-kytkentäpiireihin ja varmistaen optimaalisen suorituskyvyn ja tehokkuuden.
Voinko ostaa tätä MOSFET:iä suuremmissa määrissä, ja onko pakkauksena tavanomainen?
Kyllä, tätä tuotetta on saatavilla suuremmassa erässä varastossa yli 90 000 kappaleen varastotilauksella, pakkauksena on Tape & Reel (TR) helposti automatisoituun asennukseen ja luotettavaan käsittelyyn tehtaalla.
Mitkä ovat tämän Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFETin sertifioinnit ja ympäristövaatimukset?
Tämä MOSFET täyttää RoHS3-vaatimukset, REACH ei vaikuta ja sillä on rajaamaton kosteuden herkkyystaso (MSL 1), mikä varmistaa sen täyttävän kansainväliset ympäristö- ja turvallisuusstandardit elektronisille komponentteille.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
IPT010N08NM5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
