Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
BUK9K13-40HX
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
1650 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 40V 42A (Ta) 46W (Ta) Surface Mount LFPAK56D
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (100 Arvostelut)
BUK9K13-40HX
Tuotteen yleiskatsaus
12989870
Osan numero
BUK9K13-40HX-DGValmistaja
Nexperia USA Inc.
BUK9K13-40HX
Kuvaus
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56DVarasto
1650 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 40V 42A (Ta) 46W (Ta) Surface Mount LFPAK56D
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
BUK9K13-40HX Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchMOS™
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
42A (Ta)
Rds päällä (max) @ id, vgs
13.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19.4nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Teho - Max
46W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-1205, 8-LFPAK56
Toimittajan laitepaketti
LFPAK56D
Perustuotenumero
BUK9K13
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa BUK9K13-40HX Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
BUK9K13-40H
HTML-tietolomake
BUK9K13-40HX-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
1727-BUK9K13-40HXDKR
1727-BUK9K13-40HXCT
1727-BUK9K13-40HXTR
5202-BUK9K13-40HXTR
934662505115
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
DiGi Electronics combine disponibilité et service de qualité pour une expérience d'achat optimale.
Dec 02, 2025
Their stock management practices help reduce lead times significantly.
Dec 02, 2025
Shipping is consistently dependable, arriving within the expected timeframe.
Dec 02, 2025
Their products perform reliably in all my professional applications.
Dec 02, 2025
Got my order in just a couple of days, and the customer support was quick to assist me.
Dec 02, 2025
The broad selection available here helps me meet all my tech needs.
Dec 02, 2025
I commend their shipping team for their professionalism and punctuality in handling my orders.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat BUK9K13-40HX MOSFET-rivistön pääominaisuudet?
BUK9K13-40HX on kaksois-N-kanavan MOSFET-rivistö, jonka jännitearvo on 40 V, jatkuvavirta 42 A ja alhainen Rds(on) arvo 13,6 mΩ. Se on suunniteltu korkean tehokkuuden tehonsiirto- ja kytkentäsovelluksiin.
Sopiiko BUK9K13-40HX MOSFET autoteknisiin sovelluksiin?
Kyllä, tämä MOSFET-rivistö täyttää AEC-Q101 -vaatimukset, mikä tekee siitä luotettavan ja soveltuvan autoteollisuuden sekä teollisuussovelluksiin.
Mitä yhteensopivuus- ja kiinnitysmahdollisuuksia tällä MOSFET-rivistöllä on?
Laitteen kotelointimateriaali on SOT-1205 (8-LFPAK56) pintapoltto-kotelo, joka on yhteensopiva standardien PCB-kokoonpanojen kanssa, mahdollistavat tilaa säästävät ja tehokkaat asennukset.
Miten BUK9K13-40HX suoriutuu lämpötilanhallinnasta ja tehon hajautuksesta?
Laitteessa on maksimitehon hajoamiskyky 46 W korkeissa lämpötiloissa ja toimintalämpötila-alue -55°C:sta 175°C:iin, tarjoten kestävän ja tehokkaan lämpötilanhallinnan vaativissakin sovelluksissa.
Mitä etuja tästä Nexperian MOSFET-rivistyksestä on?
Rivistö tarjoaa korkean virrankestokyvyn, alhaisen Rds(on):n, logiikkatasoisen ohjauksen ja luotettavan pintaliitoskotelon, mikä takaa korkean tehokkuuden ja kestävyyden elektroniikkasuunnittelussa.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
BUK9K13-40HX CAD Models
Nexperia USA Inc. BUK9K13-40HX PCB symbols & footprints
productDetail
