Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
PMV100EPAR
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
4300 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (234 Arvostelut)
PMV100EPAR
Tuotteen yleiskatsaus
12939054
Osan numero
PMV100EPAR-DGValmistaja
Nexperia USA Inc.
PMV100EPAR
Kuvaus
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236ABVarasto
4300 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
PMV100EPAR Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
TrenchMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
130mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
616 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-236AB
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
PMV100
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa PMV100EPAR Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
PMV100EPA
HTML-tietolomake
PMV100EPAR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
1727-PMV100EPARDKR
5202-PMV100EPARTR
934661097215
1727-PMV100EPARCT
1727-PMV100EPARTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
사이트 이용이 매우 간편하고, 가격 대비 성능이 좋아서 감탄했어요.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics的物流速度真是令人驚喜，讓我工作上更加順利！
Dec 02, 2025
Les prix chez DiGi sont très compétitifs, et leur service après-vente répond rapidement à mes besoins.
Dec 02, 2025
Leur organisation logistique est une référence, je suis impressionné par leur efficacité.
Dec 02, 2025
Expédition ultra rapide, colis arriver intact grâce à leur emballage soigné.
Dec 02, 2025
Das After-Sales-Team hat mir nach der Lieferung wertvolle Tipps zur Nutzung gegeben.
Dec 02, 2025
Very impressed with their quick response to any post-sale queries.
Dec 02, 2025
Their products arrive safely thanks to their careful and complete packaging.
Dec 02, 2025
Delivery updates were frequent and precise, helping me stay informed.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics' support team is friendly, professional, and responsive.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Nexperia PMV100EPAR P-kanavan MOSFETin pääominaisuudet?
PMV100EPAR on P-kanavan MOSFET, jonka drain-source jännite on 60 V, jatkuva drain-kantamaadi on 2,2 A ja Rds On -vastus on alhainen, 130 mΩ 10 V Vgs-jännitteellä. Se on suunniteltu pinnasovitettaviin sovelluksiin TO-236AB-kotelossa ja soveltuu autoteollisuuden käyttöön AEC-Q101-luokituksen ansiosta.
Kuinka voin käyttää Nexperia PMV100EPAR MOSFETiä elektroniikkapiireissä?
Tämä MOSFET soveltuu hyvin kytkimille ja kuormanohjaukselle autoteollisuuden ja teollisuuden piireissä. Se vaatii vähintään 4,5 V ohjausjännitteen optimaalisen Rds On -toiminnan saavuttamiseksi ja voi toimia laajalla lämpötila-alueella, joka ulottuu -55 °C:stä 175 °C:iin.
Onko Nexperia PMV100EPAR yhteensopiva erilaisten jännitelukemien kanssa?
Kyllä, se tukee gate-source-jännitettä jopa ±20 V ja sen maksimidrain-source-jännite on 60 V, mikä tekee siitä soveltuvan eri jännitteenohjaussovelluksiin elektroniikkalaitteissa.
Mitkä ovat Nexperia PMV100EPAR MOSFETin valinnan edut projektiini?
Tämä MOSFET tarjoaa matalan on-vastuksen, korkeat tehonhajotuskyvyt ja kestävän autoteollisuuden vaatimusten mukaista luokituksen, mikä takaa luotettavan suorituskyvyn ja energiatehokkuuden vaativissa ympäristöissä.
Missä voin ostaa Nexperia PMV100EPAR MOSFETin ja kuinka on jälkimyyntötuki?
PMV100EPAR on saatavilla suurina määrinä suoraan valtuutetuista tavarantoimittajista ja jakelijoista. Jälkimyyntituesta saat apua ottamalla yhteyttä Nexperian asiakaspalveluun tai valtuutettuihin edustajiin teknisissä kysymyksissä tai takuukysymyksissä.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
PMV100EPAR CAD Models
Nexperia USA Inc. PMV100EPAR PCB symbols & footprints
productDetail
