Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (328 Arvostelut)
FCH043N60
Tuotteen yleiskatsaus
12839481
Osan numero
FCH043N60-DGValmistaja
onsemi
FCH043N60
Kuvaus
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3Varasto
1411 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
FCH043N60 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
-
Sarja
SuperFET® II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
75A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
12225 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
592W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
FCH043
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa FCH043N60 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
FCH043N60
HTML-tietolomake
FCH043N60-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS
Vaihtoehtoiset osat
Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Dec 02, 2025
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
Dec 02, 2025
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat onsemi FCH043N60 MOSFETin tärkeimmät ominaisuudet ja tekniset tiedot?
FCH043N60 on N-kanava MOSFET, jonka jännitearvo on 600 V ja jatkuva Drain-kantavirta 75 A at 25°C. Se ominaisuuksiltaan matala Rds On, joka on 43 milliohmia 38 A ja 10 V Vgs -jännitteellä, soveltuu korkeajännitteisiin tehopurkauksiin. Laite asennetaan rei'ityksellä TO-247-3-kotelossa, ja sen käyttöjännitealue on -55°C:stä +150°C:een.
Onko onsemi FCH043N60 MOSFET soveltuva korkeajännitteisiin kytkentäsovelluksiin?
Kyllä, FCH043N60 on suunniteltu korkeajännitteisiin kytkentöihin, sillä drainin ja lähdön jännite on 600 V ja tehonhäviökyky jopa 592 W kotelointilämpötilassa. Tämä tekee siitä ihanteellisen tehoverkkosuunnitteluun ja invertteripiireihin.
Toimiiko FCH043N60 MOSFET standardien lähetinesignaalien jännitteillä?
Kyllä, tämä MOSFET toimii maksimissaan gate-lähdejännitteenä ±20 V ja suositellulla ohjausjännitteellä 10 V, mikä takaa luotettavan kytkennän erilaisissa tehoelektroniikkajärjestelmissä.
Mitkä ovat SuperFET® II -sarjan MOSFETien, kuten FCH043N60:n, edut?
SuperFET® II -sarjan MOSFETit tarjoavat alhaisen Rds On:n, korkean jännitteensäilyvyyden ja korkean tehonhäviökyvyn. Tämä parantaa tehokkuutta ja lämpötilanhallintaa tehopurkauksissa, auttaen siten vähentämään järjestelmän häviöitä.
Missä voin löytää tukea tai ostaa FCH043N60 MOSFETin, ja mitä minun tulisi tietää sen saatavuudesta?
FCH043N60 on saatavilla varastosta 1 638 yksiköllä, ja se soveltuu monenlaisiin korkeajännitteisiä MOSFETtejä vaativiin sovelluksiin. Vaikka se on merkitty lopetetuksi, voit ostaa sen valtuutetuista jakelijoista ja tutustua vaihtoehtoisiin korvaaviin tuotteisiin kuten SIHG64N65E-GE3 tai IXTQ18N60P.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
FCH043N60 CAD Models
onsemi FCH043N60 PCB symbols & footprints
productDetail
