Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (293 Arvostelut)
NVHL080N120SC1A
Tuotteen yleiskatsaus
12938801
Osan numero
NVHL080N120SC1A-DGValmistaja
onsemi
NVHL080N120SC1A
Kuvaus
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Varasto
1000400 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
NVHL080N120SC1A Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
31A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
20V
Rds päällä (max) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
+25, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
178W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
NVHL080
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa NVHL080N120SC1A Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
NVHL080N120SC1A
HTML-tietolomake
NVHL080N120SC1A-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
친절한 고객 지원과 빠른 문제 해결이 돋보입니다.
Dec 02, 2025
J’adore faire mes achats chez DiGi Electronics, où tout est à la fois économique et respectueux de l’environnement.
Dec 02, 2025
Leur offre variée est un vrai atout, elle permet d’accéder à des solutions technologiques de pointe facilement.
Dec 02, 2025
L'expédition a été rapide et l'emballage très solide. Excellent service à recommander.
Dec 02, 2025
The prices are friendly on the pocketbook, and the staff is always courteous and helpful.
Dec 02, 2025
The company's commitment to inventory accuracy is impressive.
Dec 02, 2025
Their pricing advantage is one of the best in the industry, enabling us to operate efficiently.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat onsemi NVHL080N120SC1A:n mosfetin pääominaisuudet ja tekniset tiedot?
NVHL080N120SC1A on N-kanavainen piidioksidi (SiC) MOSFET, jonka jännitearvo on 1200V ja jatkuva drainsähkö 31A 25 °C:ssa. Se on suunniteltu korkeatehoisiin sovelluksiin. Sen Rds On on alhainen, 110 mΩ 20A/20V:llä, ja se soveltuu toiminta-alueen lämpötiloihin -55 °C:sta 175 °C:iin, täyttäen autoteollisuuden standardit.
Näihin sovelluksiin tämä SiC-MOSFET soveltuu?
Tämä SiC-MOSFET soveltuu korkeajänniteisiin tehonsäädinratkaisuihin, teollisuuden ajureihin ja autoteollisuuden virtajärjestelmiin, kiitos suuren jännitetason käsittelyn, tehokkuuden ja lämpötilasuorituskyvyn. Vankka rakenne tekee siitä sopivan vaativiin korkealämpötila- ja suurivirtaolosuhteisiin.
Onko NVHL080N120SC1A yhteensopiva tavanomaisten läpimenokytkentämenetelmien kanssa?
Kyllä, tämä MOSFET sisältää TO-247-3 kotelon, joka on suunniteltu läpimenokytkentää varten ja on yhteensopiva standardien tehoelektroniikan ja teollisuuslaitteiden kokoonpanomenetelmien kanssa.
Mitkä ovat piidioksidin (SiC) teknologian etuja tässä MOSFETissä?
Piidioksidi (SiC) -teknologia tarjoaa korkeamman tehokkuuden, nopeamman kytkentänopeuden ja paremman lämmönhallinnan verrattuna perinteisiin pii-MOSFETeihin. Tämä vähentää tehonhäviöitä ja parantaa järjestelmän luotettavuutta korkeajänniteisissä sovelluksissa.
Mitä takuuta tai tukea tähän MOSFET-tuotteeseen on saatavilla?
Tämä tuote on uusi, alkuperäinen onsemi-merkki ja sillä on aktiivinen status ja varastotilanne. Valmistajat tarjoavat yleensä teknistä tukea ja takuuehtoja; ota yhteyttä toimittajaan saadaksesi tarkemmat tiedot jälkimyyntituesta ja takuista.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
productDetail
