Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
NP45N06VUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
1375 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 60 V 45A (Tc) 1.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (197 Arvostelut)
NP45N06VUK-E1-AY
Tuotteen yleiskatsaus
12941946
Osan numero
NP45N06VUK-E1-AY-DGValmistaja
Renesas Electronics Corporation
NP45N06VUK-E1-AY
Kuvaus
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Varasto
1375 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 60 V 45A (Tc) 1.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
NP45N06VUK-E1-AY Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
45A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.6mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta), 75W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
NP45N06
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa NP45N06VUK-E1-AY Tuotteen erittely (PDF)
HTML-tietolomake
NP45N06VUK-E1-AY-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
559-NP45N06VUK-E1-AYDKR
-1161-NP45N06VUK-E1-AY
-1161-NP45N06VUK-E1-AYCT
-1161-NP45N06VUK-E1-AY-DG
559-NP45N06VUK-E1-AY-DG
559-NP45N06VUK-E1-AYCT
559-NP45N06VUK-E1-AY
559-NP45N06VUK-E1-AYTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Je recommande vivement DiGi Electronics pour leur gestion minutieuse des livraisons et l’intégrité des emballages.
Dec 02, 2025
予算内で買えるので、何度も利用しています。環境にも配慮している点が素晴らしいです。
Dec 02, 2025
With DiGi Electronics, I get top-notch reliability at a price that fits my budget.
Dec 02, 2025
Affordable, eco-friendly, and quality service—DiGi Electronics ticks all the boxes.
Dec 02, 2025
Timely delivery and attentive after-sales support are their strengths.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat NP45N06VUK-E1-AY MOSFETin pääominaisuudet?
NP45N06VUK-E1-AY on N-kanava-MOSFET, jonka jännitearvo on 60 V, jatkuva drain-virta 45 A ja alhainen Rds On-arvo 9,6 mΩ. Se on varustettu TO-263-3-pakkauksella ja soveltuu korkeasuorituskykyisiin kytkentäsovelluksiin.
Onko NP45N06VUK-E1-AY MOSFET yhteensopiva autotechnologisten järjestelmien kanssa?
Kyllä, tämä MOSFET täyttää AEC-Q101-standardeja, mikä tekee siitä luotettavan autoteollisuuden sovelluksiin. Se on suunniteltu kestämään korkeita lämpötila-alueita jopa 175 °C ja on RoHS3-yhteensopiva.
Mitkä ovat NP45N06VUK-E1-AY MOSFETin tyypillisiä käyttökohteita?
Tämä MOSFET soveltuu erityisen hyvin tehon kytkentään moottorikäytöissä, virtalähteissä ja suurta nykyäntä vaativissa elektroniikkapiireissä, joissa tehokas kytkentä ja lämpötilan hallinta ovat tärkeitä.
Miten NP45N06VUK-E1-AY MOSFET suoriutuu tehonhäviön ja lämpötilan hallinnan suhteen?
MOSFET voi hävittää jopa 1,8 W ympäristölämpötilassa ja jopa 75 W, kun se on varustettu jäähdytyssiilillä. Sen käyttöalue jopa 175 °C takaa vakaat ominaisuudet vaativissakin olosuhteissa.
Mitä etuja tämän MOSFETin valinta tarjoaa elektroniikkasuunnitteluprojekteissa?
Sen alhainen Rds On, korkea virrankesto ja vankka lämpötilankestävyys parantavat piirin tehokkuutta, vähentävät lämmön muodostumista ja takaavat luotettavan toiminnan vaativissa sovelluksissa.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
NP45N06VUK-E1-AY CAD Models
Renesas Electronics Corporation NP45N06VUK-E1-AY PCB symbols & footprints
productDetail
