Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
NP75N04VUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 40V 75A TO252
12525 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 40 V 75A (Tc) 1.2W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (518 Arvostelut)
NP75N04VUK-E1-AY
Tuotteen yleiskatsaus
12941697
Osan numero
NP75N04VUK-E1-AY-DGValmistaja
Renesas Electronics Corporation
NP75N04VUK-E1-AY
Kuvaus
MOSFET N-CH 40V 75A TO252Varasto
12525 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 40 V 75A (Tc) 1.2W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
NP75N04VUK-E1-AY Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
75A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.2W (Ta), 75W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252 (MP-3ZP)
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
NP75N04
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa NP75N04VUK-E1-AY Tuotteen erittely (PDF)
HTML-tietolomake
NP75N04VUK-E1-AY-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
559-NP75N04VUK-E1-AYTR
-1161-NP75N04VUK-E1-AY-DG
559-NP75N04VUK-E1-AYCT
559-NP75N04VUK-E1-AYDKR
-1161-NP75N04VUK-E1-AYCT
559-NP75N04VUK-E1-AY
559-NP75N04VUK-E1-AY-DG
-1161-NP75N04VUK-E1-AY
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
他們的物流安排出色，貨品安全快速到達。
Dec 02, 2025
每次在迪吉電子購物都能享受到優惠的價格，加上迅速的配送，真的很值得推薦。
Dec 02, 2025
Reliable delivery times and attentive support—DiGi Electronics excels at both.
Dec 02, 2025
Excellent inventory visibility allows us to plan better and reduce waste.
Dec 02, 2025
The item feels very sturdy and well-made, promising long-term reliability.
Dec 02, 2025
The staff’s friendliness makes every visit enjoyable.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics provides great value with a website that is both fast and easy to use.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat NP75N04VUK-E1-AY MOSFETin pääominaisuudet?
NP75N04VUK-E1-AY on N-kanavainen MOSFET, jonka nimellisjännite on 40 V ja jatkuva virta 75 A. Sen alhainen Rds On-arvo on 5,7 milliohmia 38 A ja 10 V gate-kytkintasolla, mikä tekee siitä sopivan korkeampien virtamäärien kytkentäsovelluksiin.
Onko NP75N04VUK-E1-AY yhteensopiva standardien elektronisten komponenttien kanssa?
Kyllä, tämä MOSFET käyttää standardia TO-252-pinotekniikkaa ja kestää enimmillään 175 °C lämpötiloja, mikä tekee siitä yhteensopivan monien tehoelektroniikan ja piirisuunnittelujen kanssa.
Mitkä ovat tämän korkeavirtaisen N-kanavaisen MOSFETin yleisimmät sovellukset?
Tämä MOSFET soveltuu erinomaisesti tehon kytkentään, moottorinohjaukseen ja virtalähdepiireihin, joissa korkea virta ja matala Rds On ovat olennaisia tehokkuuden ja suorituskyvyn kannalta.
Miten NP75N04VUK-E1-AY suoriutuu tehon kulutuksesta ja lämpöhallinnasta?
Sen maksimitehonhukka on 1,2 W ympäristölämpötilassa. Asennettuna jäähdytykseen sopivalle heatsinkille, se kestää jopa 75 W lämpöhäviön, mikä mahdollistaa luotettavan toiminnan korkeillakin kuormitustasoilla oikean lämpöjohtamisen avulla.
Mitä tukea ja saatavuustietoja tähän MOSFET-tuotteeseen liittyy?
NP75N04VUK-E1-AY on laajasti varastossa, yli 13 000 kappaletta saatavilla alkuperäispakkauksissa. Asiakkaat voivat odottaa luotettavaa laatua ja täyttä RoHS-yhteensopivuutta ympäristöystävällisen käytön varmistamiseksi.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
NP75N04VUK-E1-AY CAD Models
Renesas Electronics Corporation NP75N04VUK-E1-AY PCB symbols & footprints
productDetail
