Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (245 Arvostelut)
TK160F10N1L,LQ
Tuotteen yleiskatsaus
12891217
Osan numero
TK160F10N1L,LQ-DGValmistaja
Toshiba Semiconductor and Storage
TK160F10N1L,LQ
Kuvaus
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMVarasto
1000416 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
TK160F10N1L,LQ Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
U-MOSVIII-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
160A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10100 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
375W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-220SM(W)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
TK160F10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa TK160F10N1L,LQ Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
TK160F10N1L
HTML-tietolomake
TK160F10N1L,LQ-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
Vaihtoehtoiset osat
Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
Dec 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
Dec 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
Dec 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Toshiba TK160F10N1L MOSFETin keskeiset ominaisuudet?
Toshiba TK160F10N1L on korkean suorituskyvyn N-kanavan MOSFET, jonka jännitysarvo on 100 V ja jatkuva drain-virta 160 A. Se on suunniteltu tehokkaaseen tehonsiirtoon ja hallintaan erilaisissa elektroniikkasovelluksissa.
Sopiiko Toshiba TK160F10N1L MOSFET korkean lämpötilan ympäristöihin?
Kyllä, tämä MOSFET voi toimia jopa 175 °C lämpötilassa, mikä tekee siitä soveltuvan vaativiin teho-sovelluksiin, joissa tarvitaan korkeaa lämmönkestävyyttä.
Voiko Toshiba TK160F10N1L käyttää eri gate-ajovoltageilla?
Kyllä, se tukee ajovoltageja 6 V ja 10 V, ja maksimivoltage Vgs on ±20 V, mikä tarjoaa joustavuutta erilaisiin piirisuunnitteluihin ja ohjausjärjestelmiin.</br>Sillä on myös alhainen Rds(on) 2,4 mΩ 80 A ja 10 V jännitteellä, mikä auttaa minimoimaan tehonhukkaa käytön aikana.
Mitkä ovat tämän MOSFETin pakkausvaihtoehdot ja kiinnitystapa?
Toshiba TK160F10N1L toimitetaan Tape & Reel (TR) -pakkauksessa TO-220SM (D2PAK) -kotelossa, joka soveltuu pintaliitäviin sovelluksiin ja automaattisen massatuotannon prosesseihin.</br>Se on RoHS3-yhteensopiva suojapinnoitettu, mikä tekee siitä ympäristöystävällisen ja soveltuvan moderniin elektroniikkateollisuuteen.
Missä voin ostaa Toshiba TK160F10N1L MOSFETin, ja mitä jälkimyyntitukea on tarjolla?
Tämä MOSFET on saatavana varastosta valtuutetuista jakelijoista, yli miljoona yksikköä valmiina lähetettäviksi. Jälkimyyntituen osalta voit ottaa yhteyttä Toshibaan tai toimittajaasi saadaksesi takuutiedot ja teknistä tukea.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
