Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (507 Arvostelut)
SI2387DS-T1-GE3
Tuotteen yleiskatsaus
12959113
Osan numero
SI2387DS-T1-GE3-DGValmistaja
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
Kuvaus
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Varasto
15100 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
SI2387DS-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
TrenchFET® Gen IV
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
395 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa SI2387DS-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
SI2387DS
HTML-tietolomake
SI2387DS-T1-GE3-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
Dec 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
Dec 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
Dec 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
Dec 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
Dec 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
Dec 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
Dec 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-kanavaisen MOSFETin tärkeimmät ominaisuudet?
Vishay SI2387DS-T1-GE3 on P-kanavainen MOSFET, jonka jännitearvo on 80 V, jatkuva drain-lähtövirta on 2,1 A (25 °C) ja alasvapautumisvastus Rds On on vain 164 mΩ 10 V:n jännitteellä. Se on suunniteltu pintaliittämiseen SOT-23-pakkauksessa ja valmistettu trenchnet teknologiasta tehokasta kytkentäsuorituskykyä varten.
Soveltuuko Vishay SI2387DS-T1-GE3 korkeataajuuksiseen kytkentään?
Kyllä, tämän MOSFETin matala gate-kapasitanssi (10,2 nC 10 V) ja alhainen syöttökapasitanssi (395 pF 40 V) tekevät siitä sopivan nopeaan kytkentään ja energiatehokkaaseen tehonhallintaan erilaisissa elektronisissa laitteissa.
Mihin käyttötarkoituksiin Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-kanavainen MOSFET soveltuu tyypillisesti?
Tätä P-kanavaista MOSFETiä käytetään usein kuorman kytkentään, tehonhallintaan ja korkeammalla jännitteellä tapahtuvaan kytkentään kuluttajaelektroniikassa, autoteollisuudessa ja teollisissa sovelluksissa, kiitos korkean jännitekyvyn ja alhaisen Rds On -vastuksen.
Onko Vishay SI2387DS-T1-GE3 yhteensopiva standardien pintaliitännän kokoonpanoprosessien kanssa?
Kyllä, laite toimitetaan SOT-23-3-pakkauksessa, joka on laajalti käytetty pintaliitoskomponentti teknologialle, jolloin se soveltuu hyvin standardi PCB-kokoonpanoihin ja automatisoituihin valmistusprosesseihin.
Millaista jälkimarkkinatukea Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFETille on saatavilla?
Koska tuote on Vishayn ja on aktiivinen sekä varastossa, tekninen tuki, tekniset datalehtit ja takuun palvelut ovat yleensä saatavilla valtuutetuista jakelijoista ja Vishayn asiakaspalvelukanavien kautta.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
