Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
1350 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 12 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (100 Arvostelut)
SIA406DJ-T1-GE3
Tuotteen yleiskatsaus
12786405
Osan numero
SIA406DJ-T1-GE3-DGValmistaja
Vishay Siliconix
SIA406DJ-T1-GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6Varasto
1350 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 12 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
SIA406DJ-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
-
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 6 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SC-70-6
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® SC-70-6
Perustuotenumero
SIA406
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa SIA406DJ-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
SIA406DJ
HTML-tietolomake
SIA406DJ-T1-GE3-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SIA406DJ-T1-GE3DKR
SIA406DJT1GE3
SIA406DJ-T1-GE3TR
SIA406DJ-T1-GE3CT
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Une excellente option pour acheter tout en restant éco-responsable grâce à leurs emballages.
Dec 02, 2025
Service d’expédition rapide et efficace. Les composants offrent une résistance exceptionnelle dans mes circuits électriques.
Dec 02, 2025
Die Unterstützung nach dem Kauf bei DiGi Electronics ist außergewöhnlich. Ich schätze die schnelle Reaktionszeit und die hilfreichen Antworten immens.
Dec 02, 2025
Efficiency in processing and shipping was evident and greatly appreciated.
Dec 02, 2025
The after-sales team followed up promptly after my purchase, which I greatly appreciated.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Vishay SIA406DJ-T1-GE3 MOSFETin pääominaisuudet?
Vishay SIA406DJ-T1-GE3 on N-kanavainen pintaliitettävä MOSFET, jonka piirikytkentäjännitteen (äänsi- ja drain-jännite) on 12 V, jatkuva drain-virta on 4,5 A ja sen Rds On on alhainen, 19,8 mΩ 10,8 A:n kuormituksella. Se on suunniteltu tehokkaaseen tehonohjaukseen kompaktissa PowerPAK® SC-70-6 -paketissa.
Sopiiko Vishay SIA406DJ-T1-GE3 korkean kokonaisvirran kytkennöissä?
Kyllä, tämä MOSFET kestää jatkuvaa drain-virtaa jopa 4,5 A ja tehotuhouvaa jopa 3,5 W ympäristölämpötilassa, joten se soveltuu matalan ja keskisuuren tehon kytkentäpiireihin, jotka edellyttävät korkeaa tehokkuutta.
Mikä on tämän MOSFETin käyttölämpötila-alue?
Vishay SIA406DJ-T1-GE3 toimii lämpötila-alueella -55 °C:sta +150 °C:teen, mikä takaa luotettavan suorituskyvyn erilaisissa ympäristöolosuhteissa.
Onko Vishay SIA406DJ-T1-GE3 yhteensopiva standardi gate-jännitteiden kanssa?
Kyllä, se on yhteensopiva gate-ohjausjännitteiden 1,8 V ja 4,5 V kanssa, jolloin se tarjoaa joustavuutta erilaisten piirisuunnitelmien tueksi samalla kun säilyttää alhaisen Rds On:n ja tehokkaan kytkennän.
Täyttääkö tämä MOSFET RoHS-vaatimukset ja mikä on sen takuustatus?
Kyllä, Vishay SIA406DJ-T1-GE3 on RoHS3-yhteensopiva, ja sitä on saatavana uutena, alkuperäisenä varastotuotteena. Huomaa kuitenkin, että tämä tuote on merkitty hävitettyksi, joten varastotilanteen tarkistaminen ennen ostoa on suositeltavaa.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
SIA406DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA406DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
