SIA406DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (80 Arvostelut)

SIA406DJ-T1-GE3

Tuotteen yleiskatsaus

12786405

Osan numero

SIA406DJ-T1-GE3-DG

Valmistaja

Vishay Siliconix
SIA406DJ-T1-GE3

Kuvaus

MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

Varasto

RFQ Verkkopalvelu
N-Channel 12 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Yksittäiset FETit, MOSFETit
SIA406DJ-T1-GE3 Tietolomake
Määrä
Vähintään 1

Osto ja kysely

Tarjouspyyntö

Voit lähettää RFQ-pyynnösi suoraan tuotetietosivulla tai RFQ-sivulla. Myyntitiimimme vastaa pyyntöösi 24 tunnin kuluessa.

Maksutapa

Tarjoamme useita käteviä maksutapoja, mukaan lukien PayPal (suositellaan uusille asiakkaille), luottokortit ja pankkisiirrot (T/T) USD:ssä, EUR:ssä, HKD:ssä ja muissa valuutoissa.

TÄRKEÄ ILMOITUS

Kun olet lähettänyt tarjouspyynnön, saat sähköpostia postilaatikkoosi, jonka vahvistuksena on, että olemme vastaanottaneet kyselysi. Jos et saa sitä, sähköpostiosoitteemme saattaa olla virheellisesti merkitty roskapostiksi. Tarkista roskakansiosi ja lisää sähköpostiosoitteemme [email protected] turvalliseen luetteloosi varmistaaksesi, että saat tarjouksemme. Varaston ja hintojen vaihteluiden vuoksi myyntitiimimme tarvitsee vahvistaa uudelleen kyselysi tai tilauksesi ja lähettää sinulle päivityksiä sähköpostitse ajantasaisesti. Jos sinulla on muita kysymyksiä tai tarvitset lisäapua, älä epäröi ottaa meihin yhteyttä.

Pyydä tarjous(Lähetetään huomenna)
Määrä
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

SIA406DJ-T1-GE3 Tekniset tiedot

Kategoria FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja Vishay

Paketti -

Sarja TrenchFET®

Tuotteen tila Obsolete

FET-tyyppi N-Channel

Tekniikka MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) 12 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C 4.5A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä) 1.8V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs 19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 5 V

Vgs (enintään) ±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 6 V

FET-ominaisuus -

Tehohäviö (enintään) 3.5W (Ta), 19W (Tc)

Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi Surface Mount

Toimittajan laitepaketti PowerPAK® SC-70-6

Pakkaus / Kotelo PowerPAK® SC-70-6

Perustuotenumero SIA406

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit

Lataa SIA406DJ-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot

SIA406DJ
HTML-tietolomake

SIA406DJ-T1-GE3-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SIA406DJ-T1-GE3DKR
SIA406DJT1GE3
SIA406DJ-T1-GE3TR
SIA406DJ-T1-GE3CT

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
SIA430DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
3000
SIA430DJT-T1-GE3-DG
0.14
MFR Recommended
PMPB15XPH
Nexperia USA Inc.
2950
PMPB15XPH-DG
0.12
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Liittyvät tuotteet
Blogit ja julkaisut
Viimeisimmät edistysaskeleet integroitujen piirien tekniikassa: viiden huipputeknologian analyysi
Jan 18 2025
Induktoriteknologian edistysaskeleet: LTCC:n ja suurtaajuusresonanssimuuntimien innovatiiviset sovellukset
Jan 18 2025
Virtapiirien suojaus: keskeiset teknologiat teollisuuden ja autoteollisuuden elektronisten järjestelmien turvallisuuden varmistamiseksi
Jan 18 2025