SIRA20BDP-T1-GE3 >
SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
10986 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Pyydä tarjous (Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (146 Arvostelut)

SIRA20BDP-T1-GE3

Tuotteen yleiskatsaus

12948261

Osan numero

SIRA20BDP-T1-GE3-DG
SIRA20BDP-T1-GE3

Kuvaus

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

Varasto

10986 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Määrä
Vähintään 1

Osto ja kysely

Laadunvarmistus

365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.

90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.

Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.

Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus

Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä

100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus

Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle

Turvallinen ja joustava maksutapa

Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää

Kaikki maksut salasanoin turvataksemme

Varastossa (Kaikki hinnat ovat Yhdysvaltain dollareissa)
  • KPL Kohdehinta Kokonaishinta
  • 1 1.3727 1.3727
  • 10 1.3369 13.3690
  • 30 1.3140 39.4200
  • 100 1.2897 128.9700
Parempi hinta verkossa RFQ:lla.
Pyydä tarjous (Lähetetään huomenna)
* Määrä
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

SIRA20BDP-T1-GE3 Tekniset tiedot

Kategoria Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja Vishay

Paketti Tape & Reel (TR)

Sarja TrenchFET® Gen IV

Tuotteen tila Active

FET-tyyppi N-Channel

Tekniikka MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) 25 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C 82A (Ta), 335A (Tc)

Rds päällä (max) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V

Vgs (enintään) +16V, -12V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 9950 pF @ 15 V

FET-ominaisuus -

Tehohäviö (enintään) 6.3W (Ta), 104W (Tc)

Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi Surface Mount

Toimittajan laitepaketti PowerPAK® SO-8

Pakkaus / Kotelo PowerPAK® SO-8

Perustuotenumero SIRA20

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

SiRA20BDP

HTML-tietolomake

SIRA20BDP-T1-GE3-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-tilanne Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

Publish Evalution

* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Laadunvarmistus (QC)

DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.

Laadunvarmistus
Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta

Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta

Kattava seulonta väärennettyjen, uudelleenkäytettyjen tai viallisten osien tunnistamiseksi ja varmistamiseksi, että toimitetaan vain aitoja ja vaatimustenmukaisia osia.

Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus

Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus

Sähköinen suorituskyvyn varmistus

Komponentin ulkonäön, merkintöjen, päivämääräkoodien, pakkauksen eheyyden ja etikettien yhteensopivuuden tarkistus varmistamaan jäljitettävyyden ja vaatimustenmukaisuuden.

Elämän ja luotettavuuden arviointi

DiGi-sertifiointi
Blogit ja julkaisut
SIRA20BDP-T1-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Ei vielä tiliä? Rekisteröidy