SIS626DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (176 Arvostelut)

SIS626DN-T1-GE3

Tuotteen yleiskatsaus

12786279

Osan numero

SIS626DN-T1-GE3-DG

Valmistaja

Vishay Siliconix
SIS626DN-T1-GE3

Kuvaus

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8

Varasto

RFQ Verkkopalvelu
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Yksittäiset FETit, MOSFETit
SIS626DN-T1-GE3 Tietolomake
Määrä
Vähintään 1

Osto ja kysely

Tarjouspyyntö

Voit lähettää RFQ-pyynnösi suoraan tuotetietosivulla tai RFQ-sivulla. Myyntitiimimme vastaa pyyntöösi 24 tunnin kuluessa.

Maksutapa

Tarjoamme useita käteviä maksutapoja, mukaan lukien PayPal (suositellaan uusille asiakkaille), luottokortit ja pankkisiirrot (T/T) USD:ssä, EUR:ssä, HKD:ssä ja muissa valuutoissa.

TÄRKEÄ ILMOITUS

Kun olet lähettänyt tarjouspyynnön, saat sähköpostia postilaatikkoosi, jonka vahvistuksena on, että olemme vastaanottaneet kyselysi. Jos et saa sitä, sähköpostiosoitteemme saattaa olla virheellisesti merkitty roskapostiksi. Tarkista roskakansiosi ja lisää sähköpostiosoitteemme [email protected] turvalliseen luetteloosi varmistaaksesi, että saat tarjouksemme. Varaston ja hintojen vaihteluiden vuoksi myyntitiimimme tarvitsee vahvistaa uudelleen kyselysi tai tilauksesi ja lähettää sinulle päivityksiä sähköpostitse ajantasaisesti. Jos sinulla on muita kysymyksiä tai tarvitset lisäapua, älä epäröi ottaa meihin yhteyttä.

Pyydä tarjous(Lähetetään huomenna)
Määrä
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

SIS626DN-T1-GE3 Tekniset tiedot

Kategoria FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja Vishay

Paketti -

Sarja -

Tuotteen tila Obsolete

FET-tyyppi N-Channel

Tekniikka MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) 25 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C 16A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä) 2.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs 9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V

Vgs (enintään) ±12V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 15 V

FET-ominaisuus -

Tehohäviö (enintään) 52W (Tc)

Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi Surface Mount

Toimittajan laitepaketti PowerPAK® 1212-8

Pakkaus / Kotelo PowerPAK® 1212-8

Perustuotenumero SIS626

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit

Lataa SIS626DN-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot

SIS626DN
HTML-tietolomake

SIS626DN-T1-GE3-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
5870
SISH112DN-T1-GE3-DG
0.51
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Liittyvät tuotteet
Blogit ja julkaisut
Viimeisimmät edistysaskeleet integroitujen piirien tekniikassa: viiden huipputeknologian analyysi
Jan 18 2025
Induktoriteknologian edistysaskeleet: LTCC:n ja suurtaajuusresonanssimuuntimien innovatiiviset sovellukset
Jan 18 2025
Virtapiirien suojaus: keskeiset teknologiat teollisuuden ja autoteollisuuden elektronisten järjestelmien turvallisuuden varmistamiseksi
Jan 18 2025