Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
SIS626DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
1431 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (190 Arvostelut)
SIS626DN-T1-GE3
Tuotteen yleiskatsaus
12786279
Osan numero
SIS626DN-T1-GE3-DGValmistaja
Vishay Siliconix
SIS626DN-T1-GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8Varasto
1431 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
SIS626DN-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
52W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® 1212-8
Perustuotenumero
SIS626
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa SIS626DN-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
SIS626DN
HTML-tietolomake
SIS626DN-T1-GE3-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Vaihtoehtoiset osat
Osanumero
VALMISTAJA
Saatavilla oleva määrä
DiGi OSA NUMERO
Yksikköhinta
VAIHTOEHTO TYYPPI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
他們的售後服務細心周到，從未讓我失望。
Dec 02, 2025
サポートスタッフの対応が温かく、安心して利用できています。
Dec 02, 2025
Reliable shipping from DiGi Electronics allows us to plan with confidence.
Dec 02, 2025
Prices are always fair and affordable for the quality offered.
Dec 02, 2025
Customer service is prompt, friendly, and effective at DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
The quality assurance from DiGi Electronics gives me confidence in every purchase.
Dec 02, 2025
Choosing DiGi Electronics has been a positive experience for me.
Dec 02, 2025
Excellent after-sales support makes a significant difference.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics’ logistics updates are clear and easy to interpret.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Vishay SIS626DN-T1-GE3 N-kanavaisen MOSFETin keskeiset ominaisuudet?
SIS626DN-T1-GE3 on pintaliimattava N-kanavaisen MOSFET, jonka jännitearvo on 25 V ja jatkuva drain-virta 16 A. Se on suunniteltu tehokkaaseen tehon kytkentään alhaisella Rds On-arvolla, joka on 9 milliohmia 10 V Vgs -jännitteellä. Laite kestää korkeita tehonkulutuksia, jopa 52 W, ja sen toimintalämpötila-alue on -55 °C:sta aina 150 °C:iin.
Onko Vishay SIS626DN-T1-GE3 soveltuva korkeavirtaisiin tehoprojekteihin?
Kyllä, tämä MOSFET soveltuu korkeavirtaisiin sovelluksiin, kuten virtalähteisiin ja moottorinohjaukseen, johtuen 16 A:n jatkuvasta drain-virrasta ja alhaisesta Rds On -arvosta, mikä vähentää johtokytoja ja mahdollistaa tehokkaamman toiminnan.
Mikä on Vishay SIS626DN-T1-GE3:n asennustyyppi, ja sopiiko se pinnalle asennettavaan PCB-suunnitteluun?
SIS626DN-T1-GE3 käyttää pintaliimattavaa teknologiaa, erityisesti PowerPAK® 1212-8 -koteloa, mikä tekee siitä yhteensopivan automatisoitujen komponenttien asennusprosessien kanssa ja soveltuu kompakteihin PCB-design-ihin.
Voiko Vishay SIS626DN-T1-GE3 toimia korkeissa lämpötiloissa, ja mikä on sen lämpötila-alue?
Kyllä, tämä MOSFET toimii luotettavasti laajassa lämpötila-alueessa, -55 °C:n ja 150 °C:n välillä, mikä tekee siitä soveltuvan vaativiin elektronisiin ympäristöihin ja lämmönhallintaan.
Onko Vishay SIS626DN-T1-GE3 uusi vai vanhentunut komponentti, ja löytyykö tilalle korvaavia tuotteita?
SIS626DN-T1-GE3 on merkitty vanhentuneeksi, mutta tilalle on saatavilla korvaavia komponentteja, kuten SISH112DN-T1-GE3, jotka täyttävät samankaltaiset vaatimukset ja korvaavat alkuperäisen osan.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
SIS626DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS626DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
