Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (170 Arvostelut)
SIZ270DT-T1-GE3
Tuotteen yleiskatsaus
12939803
Osan numero
SIZ270DT-T1-GE3-DGValmistaja
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
Kuvaus
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIRVarasto
695990 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
SIZ270DT-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
TrenchFET® Gen IV
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Teho - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-PowerWDFN
Toimittajan laitepaketti
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Perustuotenumero
SIZ270
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa SIZ270DT-T1-GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
HTML-tietolomake
SIZ270DT-T1-GE3-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
Dec 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
Dec 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
Dec 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
Dec 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
Dec 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
Dec 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
Dec 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Usein kysytyt kysymykset (UKK)
Mitkä ovat Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET-matriisin keskeiset ominaisuudet?
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 on kaksois-N-kanava MOSFET-matriisi, jonka kantavirta on 100 V drainista lähteeseen ja joka soveltuu pintaliitostekniikalla valmistettaviin sovelluksiin 8-PowerPair®-kotelossaan. Se tarjoaa alhaisen Rds On -lukeman, tehokkaan tehonhävityksen ja luotettavan suorituskyvyn laajassa käyttölämpötilassa.
Kuinka voin käyttää Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET-matriisia elektronisissa piireissä?
Tämä MOSFET-matriisi soveltuu erinomaisesti korkeatehoisiin kytkentäsovelluksiin, tehonhallintaan ja moottorinohjaukseen. Sen kaksois-N-kanava-arkkitehtuuri mahdollistaa kompaktit suunnitelmat ja yksinkertaistetun ohjauksen, mikä tekee siitä sopivan monenlaisiin tehoelektroniikkajärjestelmiin.
Onko Vishay SIZ270DT-T1-GE3 yhteensopiva nykyisen piirisuunnitteluni kanssa?
Kyllä, tämä MOSFET-matriisi on yhteensopiva standardien pintaliitoslevyjen (PCB) suunnittelujen kanssa ja vaatii optimaalista suorituskykyä varten noin 10 V porttijännitteen. Sen tekniset tiedot vastaavat yleisiä vaatimuksia korkeavirtaisiin kytkentöihin ja tehonsiirtoihin.
Mitkä ovat TrenchFET® Gen IV MOSFET -sarjan valinnan edut?
TrenchFET® Gen IV MOSFETit tarjoavat pienemmän Rds On -arvon, parempaa hyötysuhdetta ja pienemmän johtokotuhinan, mikä parantaa koko järjestelmän suorituskykyä. Ne on suunniteltu luotettavaksi korkeissa lämpötiloissa toimiviksi ja niissä on vahva tehonhallintakyky.
Mitä minun tulisi tietää Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET-matriisin ostamisesta ja takuista?
MOSFET-matriisi on saatavilla varastosta uutena, alkuperäisenä osana, RoHS3-yhteensopivana ja sen kosteudenkestävyysominaisuuksissa ei ole rajoituksia. Lisätietoja jälkimarkkinatuesta tai takuista saat ottamalla yhteyttä jälleenmyyjään tai Vishayn viralliseen asiakaspalveluun.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
