Väärentämisen ja vikoihin varautumisen torjunta
Visuaalinen ja pakkauksen tarkastus
Sähköinen suorituskyvyn varmistus
Asiakaspalvelu Sähköposti
[email protected]
>
SQJB02ELP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
9342 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Pyydä tarjous
(Lähetetään huomenna)
*Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5.0 / 5.0
- (376 Arvostelut)
SQJB02ELP-T1_GE3
Tuotteen yleiskatsaus
12954066
Osan numero
SQJB02ELP-T1_GE3-DGValmistaja
Vishay Siliconix
SQJB02ELP-T1_GE3
Kuvaus
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8Varasto
9342 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Osto ja kysely
Takuu ja palautukset
Kuinka tilata
Toimitus ja lähetys
Laadunvarmistus
365 - Päivän laatutakuu - Jokainen osa täysin takuutettu.
90 päivän palautus tai vaihto - Vialliset osat? Ei vaivaa.
Rajoitettu varasto, tilaa nyt - Saat luotettavat osat huolettomasti.
Kansainvälinen lähetys & Turvallinen pakkaus
Maailmanlaajuinen toimitus 3-5 arkipäivässä
100% ESD Tuhkofosfoballisuuspakkaus
Reaaliaikainen seuranta jokaiselle tilaukselle
Turvallinen ja joustava maksutapa
Luottokortti, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pankkisiirto (T/T) ja lisää
Kaikki maksut salasanoin turvataksemme
SQJB02ELP-T1_GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
Transistori, FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Paketti
Cut Tape (CT)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 20V
Teho - Max
27W
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
Perustuotenumero
SQJB02
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Lataa SQJB02ELP-T1_GE3 Tuotteen erittely (PDF)
Tekniset tiedot
Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
HTML-tietolomake
SQJB02ELP-T1_GE3-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
742-SQJB02ELP-T1_GE3CT
742-SQJB02ELP-T1_GE3TR
SQJB02ELP-T1 GE3
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Laadunvarmistus (QC)
DiGi varmistaa jokaisen elektroniikkakomponentin laadun ja aitouden ammattimaisten tarkastusten ja eräkoekappaleiden avulla, taaten luotettavan hankinnan, vakaat suorituskyvyn ja teknisten vaatimusten täyttymisen. Tämä auttaa asiakkaita vähentämään toimitusketjun riskejä ja käyttämään komponentteja luottavaisesti tuotannossa.
SQJB02ELP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
